DMP3010LPSQ-13 与 BSC060P03NS3E G 区别
| 型号 | DMP3010LPSQ-13 | BSC060P03NS3E G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMP3010LPSQ-13 | A-BSC060P03NS3E G |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.5m Ohms@10A,10V | 6mΩ |
| 零件号别名 | - | BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984 |
| 上升时间 | - | 139 nS |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 61nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 25V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | - |
| 连续漏极电流Id | 36A | 100A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 配置 | - | Single Quad Drain Triple Source |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 34 nS |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 栅极电荷 Qg | - | 61 nC |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.18W(Ta) | 83W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 66 nS |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOSP3 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6234pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 126.2nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 36A(Ta) ±20V 2.18W(Ta) 7.5m Ohms@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 36A 8-PowerTDFN 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC060P03NS3E G | Infineon | 功率MOSFET |
30V 100A 6mΩ 25V 83W P-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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